A01144 2000/01/01
SOI silicon-on-insulator
高性能なCPUの生産などへの応用が期待されている新しい半導体生産技術。米IBMが98年8月に技術を確立した。LSIの内部でこれまで接していたトランジスター部分とシリコン層を絶縁層によって分離することにより、性能の低下と消費電力の上昇をもたらす有害な電気作用を抑える。同社によると、SOIを採用することにより、チップの性能は最高で35％向上するという。性能レベルを一定にした場合には、消費電力を3分の1以下に抑えることができる。